[发明专利]一种基于摆率增强的稳压电路

摘要

一种基于摆率增强的稳压电路，利用电容器件直接将输出电压VOUT连接到M4管栅级，实现零延迟的环路响应。同时利用M3、R1、IB给M4管栅级提供静态电压偏置，利用Native NMOS管M2以及C2给M4管源级提供静态电压偏置，保证该电路实现零延迟环路响应的同时，具有高电源电压抑制比、适用于低输入电压应用环境等优点。

主权项

一种基于摆率增强的稳压电路，由Native NMOS管M1和M2，PMOS管M3和M4，运算放大器EA，电阻R1、R2和R3，电容C1和C2，以及电流源IB组成，其特征在于，Native NMOS管M1的漏极连接电源端口VDD以及Native NMOS管M2的漏极，Native NMOS管M1源极连接输出端口VOUT、电容C1的一端以及电阻R2的一端，Native NMOS管M1的栅极连接运算放大器EA的输出端ea_o以及PMOS管M4的漏极；电阻R2的另一端连接电阻R3的一端以及运算放大器EA的反向输入端；电阻R3的另一端连接GND端口、电容C2的一端以及电流源IB的负端；运算放大器EA的正向输入端连接电压输入端口VREF；Native NMOS管M2 的栅极连接偏置电压输入端口VB1， Native NMOS管M2管源极连接PMOS管M3管的源极、PMOS管M4管源极以及电容C2的另一端；PMOS管M3管的栅极连接PMOS管M3管的漏极、电阻R1的一端、以及电流源IB的正端；M4管栅极连接电容C1的另一端和电阻R1的另一端。