[发明专利]基于SSVEP与OSP的混合脑‑机接口方法

摘要

基于SSVEP与OSP的混合脑‑机接口方法，受试者穿戴好电极帽，将SSVEP‑OSP混合范式通过计算机屏幕在受试者面前播放，受试者注视刺激单元中的任意一个，通过采集系统将受试者盯视刺激目标时产生的脑电信号，经脑电采集仪放大、滤波及模数转换后，将数字化的脑电数据输入计算机，然后采用基于典型相关分析的脑电信号特征提取方法对SSVEP特征实现提取及分类识别，采用支持向量机及朴素贝叶斯分析对OSP特征实现提取及识别，将识别结果显示在屏幕上以反馈给受试者，再进行下一次识别，本发明能够显著提高基于SSVEP的脑‑机接口方法的信息传输率，具有操作简单、电极数少和目标数多的优点。

主权项

基于SSVEP与缺省刺激电位OSP的混合脑‑机接口方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，受试者穿戴好电极帽，坐在计算机正前方，受试者头部距离计算机屏幕为60‑80厘米，所有电极按照“国际10/20标准导联系统”放置，记录电极位于大脑枕部区域，包括O1、Oz、O2、POz、PO4、PO8，参考电极位于左耳耳垂，地电极为Fpz，给记录电极及参考电极、地电极注入导电膏，并确保其与头皮接触良好；步骤2，将SSVEP‑缺省刺激电位OSP混合范式通过计算机屏幕在受试者面前播放，受试者选择一个刺激目标进行盯视，通过电极帽采集受试者盯视刺激目标时产生的头皮脑电信号，SSVEP‑缺省刺激电位OSP混合范式在重复周期刺激中引入了刺激缺失，实现SSVEP和缺省刺激电位OSP特征的同时诱发，其中计算机屏幕显示的圆盘1、3以12hz的频率闪烁，计算机屏幕显示的圆盘2、4以10hz的频率闪烁，所述的圆盘1、2、3、4分别在467ms、450ms、633ms、650ms时出现首次闪烁刺激缺失，闪烁刺激缺失有圆盘停顿在屏幕上一个闪烁周期以及消失在屏幕上一个闪烁周期两种缺失形式，任意选择一种作为闪烁刺激缺失方式，在一次刺激周期中，共出现四次闪烁刺激缺失，每次闪烁刺激缺失距上一次的缺失间隔为四次闪烁周期，即10hz下缺失间隔为333ms，12hz下缺失间隔为400ms，一次刺激周期长度为2.5s，经过脑电采集仪放大、滤波及模数转换后，将数字化的脑电信号输入计算机，其中，脑电信号的采集采用16导gUSBamp放大器作为采集硬件，放大器的采样频率为1200hz，硬件滤波包括了0.05‑100hz的带通滤波及48‑52hz的带阻滤波；步骤3，对脑电信号处理，包括脑电信号的预处理及对SSVEP特征及缺省刺激电位OSP特征的提取识别；步骤4，计算机通过屏幕输出识别结果，实现对受试者的视觉反馈；步骤5，计算机完成目标识别反馈后，返回步骤2，重复步骤2、3、4，进行下一步的目标识别。