[发明专利]一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法有效
| 申请号： | 201510257010.8 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104993026B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 云峰;黄亚平;熊瀚 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法，包括下步骤1)取GaN基LED，再在GaN基LED中的P‑GaN层上开设若干通孔，然后再在GaN基LED中的电子阻挡层上开设若干凹槽，使GaN基LED中的电子阻挡层上的凹槽正对GaN基LED中的P‑GaN层上对应通孔，GaN基LED中的电子阻挡层上任意一个凹槽与GaN基LED中的P‑GaN层上对应通孔形成一个孔洞；2)给GaN基LED上的各孔洞内填入金属银，然后再进行加热处理，使GaN基LED中的P‑GaN层中的Ga原子向金属银中扩散，并在GaN基LED中的P‑GaN层内产生Ga空位缺陷，得单芯片颜色可调的GaN基LED结构。本发明制备的GaN基LED结构能够发生缺陷能级复合发光，实现LED发出的光的颜色调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 颜色 可调 gan led 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)取GaN基LED，再在GaN基LED中的P‑GaN层上开设若干通孔，然后再在GaN基LED中的电子阻挡层上开设若干凹槽，使GaN基LED中的电子阻挡层上的凹槽正对GaN基LED中的P‑GaN层上对应通孔，GaN基LED中的电子阻挡层上任意一个凹槽与GaN基LED中的P‑GaN层上对应通孔形成一个孔洞；2)给GaN基LED上的各孔洞内填入金属银，然后再进行加热处理，使GaN基LED中的P‑GaN层中的Ga原子向金属银中扩散，并在GaN基LED中的P‑GaN层内产生Ga空位缺陷，得单芯片颜色可调的GaN基LED结构。
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