[发明专利]一种硅纳米颗粒阵列增强白光LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201510258229.X | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104851960B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 丁佩;何金娜;李明玉;霍海波;田硕;曾凡光 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅纳米颗粒阵列增强白光LED及其制备方法，该白光LED包括基底层，所述基底层的一侧装有蓝光LED芯片或近紫外LED芯片，另一侧设有颜色转换层；所述颜色转换层包括硅纳米颗粒周期阵列和荧光胶，所述硅纳米颗粒周期阵列紧贴基底层设置。本发明的硅纳米颗粒阵列增强白光LED，利用硅纳米颗粒周期阵列在颜色转换层诱导产生的具有显著电磁场增强效果的波导模式来增强颜色转换层内荧光分子的发光强度，从而提高了白光LED的发光效率；试验结果表明，本发明的硅纳米颗粒阵列增强白光LED中，硅纳米颗粒阵列结构增强颜色转换层内荧光分子发光的效果明显优于在颜色转换层内引入金属颗粒阵列结构的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 颗粒 阵列 增强 白光 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅纳米颗粒阵列增强白光LED，其特征在于：包括基底层，所述基底层的一侧装有蓝光LED芯片或近紫外LED芯片，另一侧设有颜色转换层；所述颜色转换层包括硅纳米颗粒周期阵列和荧光胶，所述硅纳米颗粒周期阵列紧贴基底层设置。
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