[发明专利]一种高复合效率的LED外延结构有效
| 申请号： | 201510258289.1 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106299056B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 田宇;徐晶;郑建钦;曹强;杜小青;吴梅梅;钱凯 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高复合效率的LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区从下至上包括阱层和复合垒层，复合垒层和阱层交替生长。所述复合垒层包括Si掺杂垒层和Si&Mg&Si掺杂垒层。本发明用在复合垒层中再掺杂Si&CP2Mg垒层，通过改变垒层Si&CP2Mg的掺杂浓度降低复合垒层的粗糙度并将复合垒层能级变得平滑，使得空穴传送更加容易，从而提高辐射复合几率，降低极化效应，增强LED出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 效率 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高复合效率的LED外延结构，它从下至上依次包括图形化衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区、电子阻挡层（7）和P型GaN层（8），其特征在于：所述有源区从下至上包括阱层（5）和复合垒层（60），复合垒层（60）和阱层（5）交替生长，所述复合垒层（60）包括Si掺杂垒层（601）和先掺杂Si再掺杂Mg最后再掺杂Si的复合掺杂垒层（602）。
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