[发明专利]用于制造电力存储设备的方法有效
| 申请号： | 201510258298.0 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104993152B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 栗城和贵;汤川干央;松仓英树 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/66 | 分类号： | H01M4/66;H01M4/70;H01M4/04;H01M4/134;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造电力存储设备的方法，目的在于通过设计活性材料层的形状来改进电力存储设备的特性。可通过提供包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的电解质的电力存储设备来改进电力存储设备的特性。第二电极包括活性材料层。活性材料层包括包含活性材料的多个凸部以及包含活性材料的多个颗粒，这些颗粒排列在多个凸部上或者多个凸部之间的空隙中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电力 存储 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造电力存储设备的方法，包括如下步骤：在集电器上形成包含硅的层；蚀刻所述包含硅的层以形成包含活性材料层的多个凸部；以及局部地施加压力以局部地断裂所述多个凸部。
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