[发明专利]一种石斛种子繁殖方法在审
| 申请号： | 201510258396.4 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104803734A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 汪威锋 | 申请（专利权）人： | 四川省峰上生物科技有限公司 |
| 主分类号： | C05G1/00 | 分类号： | C05G1/00;A01G1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石斛种子繁殖方法，属于石斛人工栽培技术领域。其方法包括以下步骤：在播种培养基中播种，在增殖培养基中进行增殖培养，在生根培养基中进行生根培养，及在壮苗培养基中进行壮苗培养，从而得到栽培苗。本发明有效解决了现有技术外植体基数小，不易消毒，原球茎分化慢，繁殖周期长，增殖倍数低，无菌体系建立难等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石斛 种子 繁殖 方法 | ||
【主权项】：
一种石斛种子繁殖方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)播种：在无菌环境下，将种子接在播种培养基中，培养基PH值5.8，培养温度为25‑27℃，光照强度为2300LUX，光照时间12h，培养天数45天，种子萌发形成原球茎；（2）增殖：将原球茎转到增殖培养基中进行增殖培养，使得原球茎形成萌发状小苗，培养基PH值5.8，培养温度为26‑27℃，光照强度为2300LUX，光照时间12‑13h，培养天数45‑50天；（3）生根：将萌发状小苗转到生根培养基中进行生根培养，得到完整性小苗，培养基PH值5.8，培养温度为26‑27℃，光照强度为2300LUX，光照时间12‑14h，培养天数60天；（4）壮苗培养：将生根培养形成的完整性小苗转到壮苗培养基中进行壮苗培养，从而得到栽培苗，培养基PH值5.8，培养温度为25‑27℃，光照强度为2400LUX，光照时间为12‑14h，培养天数90‑100天。
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