[发明专利]一种可提高内量子效率带电子阻挡层的LED外延结构在审
| 申请号： | 201510258427.6 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106299059A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑建钦;田宇;曾颀尧;林政志;赖志豪;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种可提高内量子效率带电子阻挡层的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。其结构特点是，所述电子阻挡层从下至上依次包括前电子阻挡层、SiN/GaN SLs型n‑GaN层和后电子阻挡层。所述SiN/GaN SLs型n‑GaN层从下至上依次包括交替生长的SiN层和GaN层。本发明是在电子阻挡层p‑AlGaN中插入SiN/GaN SLs型n‑GaN层，不但能通过空穴浓度的提高和注入效率的提升来提高内量子效率，还能通过对缺陷的阻挡来提高抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 量子 效率 电子 阻挡 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种可提高内量子效率带电子阻挡层的LED外延结构，它从下至上依次包括图形化衬底（1）、GaN缓冲层（2）、未掺杂GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（61）、P型GaN层（10）和P型接触层（11），其特征在于：所述电子阻挡层（61）从下至上依次包括前电子阻挡层（6）、SiN/GaN SLs型n‑GaN层（62）和后电子阻挡层（9）；所述SiN/GaN SLs型n‑GaN层（62）从下至上依次包括交替生长的SiN层（7）和GaN层（8）。
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