[发明专利]微型发光二极管有效
| 申请号： | 201510258848.9 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105355733B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张珮瑜 | 申请（专利权）人： | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;丛芳 |
| 地址： | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码： | 萨摩亚;WS |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一介电层与第一电极。第二型半导体层设置于第一型半导体层之上。第一介电层设置于第二型半导体层上。第一介电层具有至少一个开口，以至少暴露第二型半导体层的一部分。第一介电层的开口的边缘与第二型半导体层的侧表面之间具有第一最短路径，第一最短路径大于或等于1微米。第一电极设置于第一介电层的至少一部分上，且第一电极通过第一介电层的开口与第二型半导体层暴露的部分电性连接。由于第一最短路径大于或等于1微米，因此扩散至微型发光二极管的侧表面的带电载流子数量为极少数或是趋近于零，从而使微型发光二极管的发光效率提升。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种微型发光二极管，其特征在于，所述微型发光二极管包含：第一型半导体层；第二型半导体层，其设置于所述第一型半导体层之上；第一介电层，其覆盖所述第二型半导体层远离该第一型半导体层的表面，且所述第一介电层具有至少一个开口，以至少暴露所述第二型半导体层的一部分，其中所述第一介电层的开口的边缘与所述第二型半导体层的侧表面之间具有第一最短路径，所述第一最短路径大于或等于1微米；第一电极，其设置于所述第一介电层的至少一部分上，且所述第一电极至少部分覆盖所述第一介电层，並通过所述第一介电层的开口与所述第二型半导体层暴露的部分电性连接；第二介电层，其设置于所述第一型半导体层上，且第二介电层具有至少一个开口，以至少暴露所述第一型半导体层的一部分，其中所述第二介电层的开口的边缘与所述第一型半导体层的侧表面之间具有第二最短路径，所述第二最短路径大于或等于1微米；以及第二电极，其设置于所述第二介电层的至少一部分上，且所述第二电极通过所述第二介电层的开口与所述第一型半导体层暴露的部分电性连接。
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