[发明专利]导电沟道全包裹纳米线平面环栅场效应器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201510260091.7 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104979403A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李强;潘伟;黄少云;徐洪起 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电沟道全包裹纳米线平面环栅场效应器件及其制备方法，其结构为：衬底；悬浮且平行于衬底的纳米线以及位于衬底之上并径向包围所述纳米线的依次排列的源电极、栅电极和漏电极；所述场效应器件的导电沟道是被栅电极径向包围的纳米线，所述栅电极与所述纳米线之间具有栅介质，所述导电沟道被所述栅介质和栅电极全包裹；源漏电极和栅电极有一定区域的重叠，但重叠部分由栅介质隔开。本发明能够制备出栅极导电沟道全包裹的场效应器件，能有效提高栅级对沟道的调控能力，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 沟道 包裹 纳米 平面 场效应 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米线的导电沟道全包裹平面环栅场效应器件，包括：衬底；悬浮且平行于衬底的纳米线以及位于衬底之上并径向包围所述纳米线的依次排列的源电极、栅电极和漏电极；所述场效应器件的导电沟道是被栅电极径向包围的纳米线，所述栅电极与所述纳米线之间具有栅介质，所述导电沟道被所述栅介质和栅电极全包裹；所述源电极与栅电极之间，以及所述漏电极与栅电极之间分别有部分重叠，重叠部分被栅介质所隔离。
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