[发明专利]一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高精度外延膜厚监控片及其制备方法，对使用过的晶圆片的表面进行处理，使其表面呈现裸硅状态；清洗；对清洗过的轻掺杂晶圆片进行处理使其生长氧化层；进行N型或P型杂质注入；进行高温处理；进行表面处理，使其表面呈现裸硅状态；进行清洗，即得到外延膜厚监控片。本发明制备的膜厚监控片的表面掺杂浓度均匀性远远优于CZ法制作的重掺杂衬底片，增加了试炉膜厚结果的准确性，使监控结果能够真实反应机台工艺状态，最大程度降低由于监控片监控结果的不准确造成的物料损失，产能降低及产品工艺参数超标。

主权项

一种高精度外延膜厚监控片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：对使用过的晶圆片的表面进行处理，使其表面呈现裸硅状态，当使用过的晶圆片表面为裸硅状态时，则不需表面处理；步骤二：对表面呈裸硅状态的晶圆片清洗；步骤三：对经步骤二清洗过的晶圆片进行N型或P型杂质注入；步骤四：将步骤三中注入N型或P型杂质的晶圆片进行高温处理；步骤五：将步骤四得到的晶圆片进行表面处理，使其表面呈现裸硅状态；步骤六：将步骤五得到的晶圆片进行清洗，即得到外延膜厚监控片；步骤二及步骤六中的清洗过程均为：首先于110～120℃下，利用体积比为3:1～5:1的硫酸/双氧水混合液浸泡3～7分钟，再用去离子水冲洗5～10分钟；然后于室温下，利用体积比为10:1～50:1的氢氟酸/去离子水混合液浸泡20～60秒，再用去离子水冲洗5～10分钟；最后于60～80℃下，利用体积比为1:1:5～1:2:10的氨水/双氧水/去离子水混合液浸泡5～10分钟，再用去离子水冲洗5～10分钟后甩干；所述步骤二与步骤三之间还有如下步骤：对步骤二清洗过的晶圆片进行处理使其生长氧化层，其中氧化层是在干氧或湿氧的气氛下，于常压、750℃～1150℃的温度下生成的，氧化时间为10～60分钟，当通入干氧时，干氧流量为8～16slm，当通入湿氧时，湿氧中氧气与氢气的流量比为1:1～1:1.68；步骤三是对经过此步骤的晶圆片进行N型或P型杂质注入。