[发明专利]晶圆级封装结构的制造方法有效
| 申请号： | 201510261020.9 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104952744A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 高国华;郭飞 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级封装结构的制造方法，包括：在半导体芯片上表面形成绝缘层，绝缘层具有开口部，使半导体芯片的导电金属垫露出；在所述绝缘层上形成沟壑，所述沟壑连通所述开口部；在所述开口部以及所述沟壑中，形成再布线层，所述再布线层连通所述导电金属垫。相比与现有技术，将再布线设置在绝缘层的沟壑内，有效防止封装器件的再布线层(RDL)之间形成的电迁移路径，避免了短路等异常，从而减少器件失效的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级封装结构的制造方法，其特征在于，包括：在半导体芯片上表面形成绝缘层，绝缘层具有开口部，使半导体芯片的导电金属垫露出；在所述绝缘层上形成沟壑，所述沟壑连通所述开口部；在所述开口部以及所述沟壑中，形成再布线层，所述再布线层连通所述导电金属垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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