[发明专利]用于提供在低温衬底上的薄膜的横向热处理方法有效
| 申请号： | 201510261174.8 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN104992901B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | K·A·施罗德;R·P·文茨 | 申请（专利权）人： | NCC纳诺责任有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 牛南辉,杨晓光 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于提供在低温衬底上的薄膜的横向热处理方法。公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管(TFT)，在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提供 低温 衬底 薄膜 横向 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种用于热处理极薄膜的方法，所述方法包括：邻近极薄膜构图两个吸收痕，其中所述两个吸收痕由金属构成，其中所述极薄膜位于衬底的顶上；用至少一个电磁脉冲辐射所述两个吸收痕以加热所述两个吸收痕，其中所述至少一个电磁脉冲的脉冲长度比所述衬底的热平衡时间短；以及允许来自所述两个吸收痕的热来热处理所述极薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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