[发明专利]偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法在审
| 申请号： | 201510261309.0 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104862702A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 曹可慰;赵有文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C30B33/10;C30B29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适合[100]偏[111]晶向的锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法，该方法包括：配置腐蚀液；将配置好的腐蚀液置于恒温水浴锅内加热；对锗单晶片进行表面清洁；将锗单晶片浸于腐蚀液内进行腐蚀，时间为5分钟；对腐蚀过的锗单晶片进行淋洗和吹干；最后在金相显微镜下观察腐蚀后的形貌。本发明的腐蚀方法可以有效的腐蚀出位错坑，腐蚀速率适中，反应过程温和可控，对于检测[100]偏[111]的锗单晶片位错密度，简便可行，不易出现水波纹等干扰图案。 | ||
| 搜索关键词： | 111 晶片 显示 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种[100]偏[111]晶向的锗单晶片位错显示用腐蚀液，由氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液混合配制而成，所述腐蚀液中氢氟酸、硝酸和硝酸铜的摩尔浓度比为2∶0.3‑0.5∶0.8‑1。
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