[发明专利]一种热预算低的双极高频功率晶体管芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种热预算低的双极高频功率晶体管芯片的制作方法。涉及半导体器件及其制造领域。该制作方法采用离子注入代替热扩散后，高硼离子注入后不进行高温热退火，而是在低硼离子注入后，一起进行一次高温退火，退火温度控制在950~1050℃，降低了晶体管制作的热预算，简化了工艺流程，避免了对晶圆片的反复高温加热，节约了能源，也降低了晶圆片经反复高温，变形的发生。

主权项

一种热预算低的双极高频功率晶体管芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）首先将选定的外延晶圆片清洗干净，然后进行高温氧化，氧化层的厚度要能屏蔽住高硼离子注入；（2）按设计要求进行高硼区的光刻，刻蚀出要进行高硼注入掺杂的窗口；（3）采用离子注入机进行高硼离子注入掺杂，其注入能量和注入剂量分别由注入的深度要求和掺杂浓度确定；（4）按设计要求进行低硼区的光刻；（5）采用离子注入机进行低硼离子注入掺杂，其注入能量和注入剂量分别由注入的深度要求和掺杂浓度确定；（6）高硼离子、低硼离子注入后进行高温退火，其退火温度控制在950~1050℃，时间控制在30~120分钟，以修复注入损伤和激活注入杂质；（7）按设计要求进行发射区光刻，刻蚀出发射区掺杂窗口；（8）对发射区进行磷离子注入掺杂；所述的高频功率晶体管的频率不低于700MHz；（9）对发射区进行退火，其退火温度控制在900~950℃，时间控制在10~60分钟，以修复注入损伤和激活注入杂质；（10）进行电极接触孔光刻、腐蚀、去胶，实现发射区和基区的金属电极通路，再进行金属化形成发射极、基极各自的金属电极，然后采用等离子增强化学气相淀积方法在晶片表面进行钝化层淀积，最后通过光刻及腐蚀的方法将金属键合区处的钝化层去除干净。