[发明专利]基于多颗单色大功率LED实现类日光光源的方法有效

专利信息
申请号: 201510262725.2 申请日: 2015-05-21
公开(公告)号: CN104991988B 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 曹冠英;徐广强;张竞辉;邢明书 申请(专利权)人: 大连工业大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 大连格智知识产权代理有限公司 21238 代理人: 刘琦
地址: 116034 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于多颗单色大功率LED实现类日光光源的方法,包括如下步骤:第一步:对目标谱380‑780nm范围内等间隔d=0.5~5nm离散取点构造目标光谱矩阵:第二步:构造LED单元矩阵Φi(λ);第三步:构造LED光谱矩阵ΦLED;第四步:构造系数矩阵K;第五步:利用最小二乘法求得不同LED种类需要的颗数。本发明的优点在于使用了一种新的单色LED光谱辐射模型来表征单色LED光谱分布特点,提高了仿真实验的准确度;通过使用最小二乘法给出了能快速确定对太阳光谱有最佳模拟效果的LED组合;并能够通过改变组合中LED种类达到对太阳光谱不同程度的再现,实现不同程度的类日光照明满足不同照明场景的要求。
搜索关键词: 基于 单色 大功率 led 实现 日光 光源 方法
【主权项】:
1.一种基于多颗单色大功率LED实现类日光光源的方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步:构造目标光谱矩阵对目标谱380‑780nm范围内等间隔d=0.5~5nm离散取点构造目标光谱矩阵:Φs(t)=[Φs1,Φs2,Φs3,...,Φst];其中,t为目标光谱离散取点个数,Φst为目标光谱在第t点处光辐射强度,t相应为1、2、3……;第二步:构造LED单元矩阵Φi(t)对每种LED光谱数据在380‑780nm范围内等间隔d离散取点构造Φi(t):Φi(t)=[Φi1,Φi2,Φi3,...,Φit]T,(i=1,2,3,…,n)其中,t为LED单元离散取点个数;n为LED单元种类,n≥3;Φit为单色LED在第t点处的相对光谱辐射强度,t相应为1、2、3……;第三步:构造LED光谱矩阵ΦLEDΦLED=[Φ1(t),Φ2(t),Φ3(t),…,Φi(t)];Φi(t)表示加入第i种单色LED单元矩阵;第四步:构造系数矩阵KK=[k1,k2,k3,…,ki]T其中,ki=ai*ni,ni表示当前仿真结果下所需要第i颗LED的颗数,ai是单色LED光谱辐射强度与驱动电流之间的转化系数,因此可以根据ki确定当前仿真结果下需要第i种LED的颗数;第五步:利用最小二乘法求得满足下式的K的广义解:其中,Φm=ΦLED×K表示多种LED混合产生的光谱分布,采用R2作为评价参数,其公式如下:y为目标值,yestimatedvalue为估测值,N为数据点个数;R2≤1,其值越接近1则表示估测值与目标值拟合效果越好;此外,第一步之前,还有如下步骤:为大功率单色LED光谱数据建立光谱辐射模型,其通式为:其中,λ表示光的波长,依次取380‑780nm内的所有整数值,S(λ)值表示LED光谱辐射强度,A是与振幅有关的拟合参数,λc1,λc2,ω1,ω2是与LED主波长λp以及半高全宽FWHM相关的拟合参数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连工业大学,未经大连工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510262725.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top