[发明专利]栅极层上的对位标记的制作方法有效
申请号: | 201510262743.0 | 申请日: | 2015-05-21 |
公开(公告)号: | CN104900572B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 付延峰 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种栅极层上的对位标记的制作方法,通过在基板上沉积金属层,然后对金属层进行图案化,得到栅极层,所述栅极层包括栅极阵列、及对位标记,所述栅极层图形的几何中心与所述基板的几何中心不重叠,如果所述栅极层不合格,需要重工时,可以直接将所述基板转180度,采用与第一次同样的方法在所述基板上重新制作栅极层,该第二次制得的栅极层的图形与第一次制得的栅极层的图形在基板上的位置刚好相反,因此,第一次制作的对位标记留下的印记不会与第二次制得的对位标记重叠,使得第二次制作的对位标记旁无印记,在TFT基板的后续制程中采用第二次制作的对位标记进行对位曝光,不影响后制程的对位曝光,提高了产品良率。 | ||
搜索关键词: | 栅极 对位 标记 制作方法 | ||
【主权项】:
一种栅极层上的对位标记的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一基板(10),在所述基板(10)上沉积金属层;所述基板(10)具有一几何中心(101);步骤2、采用一道光罩对所述金属层进行曝光、显影、蚀刻,得到栅极层,所述栅极层包括栅极阵列及位于栅极阵列外侧的数个第一对位标记(21);所述栅极层的图形位于所述基板(10)上偏离其几何中心(101)的区域,所述栅极层的图形的几何中心(201)与所述基板(10)的几何中心(101)不重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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