[发明专利]一种用于离子注入机的30°平行透镜有效
申请号: | 201510262780.1 | 申请日: | 2015-05-21 |
公开(公告)号: | CN104867803B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 张赛;胡振东;彭立波;易文杰;袁卫华;孙雪平 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | H01J37/317 | 分类号: | H01J37/317;H01J37/141 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明涉及为一种用于离子注入机的30°平行透镜,包括结构及尺寸一致且上下对称安装的上磁极和下磁极,上磁极的上方设有上磁轭,下磁极的下方设有下磁轭,上磁极的顶面与上磁轭的底面连接,而下磁极的底面与下磁轭的顶面连接;该平行透镜还设有两个中间磁轭,两个中间磁轭的顶端均与上磁轭的底面连接,而两个中间磁轭的底端均与下磁轭的顶面连接,且上磁极和下磁极置于两个中间磁轭之间;上磁极的下磁极面与下磁极的上磁极面边缘的均由多条弧线构成。本发明磁极面形状合理,可以使离子束注入角度保持一致、保证均匀性和重复性,并可以防止入射离子在半导体晶片的晶格结构上产生沟道效应,也可以使之产生均匀的需要的沟道。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 离子 注入 30 平行 透镜 | ||
【主权项】:
一种用于离子注入机的30°平行透镜,其特征是,包括结构及尺寸一致且上下对称安装的上磁极(3)和下磁极(4),上磁极(3)的上方设有上磁轭(2),下磁极(4)的下方设有下磁轭(6),所述上磁极(3)的顶面与上磁轭(2)的底面连接,而下磁极(4)的底面与下磁轭(6)的顶面连接;该平行透镜还设有两个中间磁轭(1,5),两个中间磁轭(1,5)的顶端均与上磁轭(2)的底面连接,而两个中间磁轭(1,5)的底端均与下磁轭(6)的顶面连接,且上磁极(3)和下磁极(6)置于两个中间磁轭(1,5)之间;所述上磁极(3)的下磁极面与下磁极(4)的上磁极面的边缘均由多条弧线构成;所述上磁极(3)和下磁极(4)的外周均围有线包(41);所述上磁极(3)的下磁极面由顺次连接的第一弧线(21)、第二弧线(22)、第三弧线(23)、第四弧线(24)、第五弧线(25)、第六弧线(26)合围而成;线包(41)对应第六弧线(26)的部分做成直线部分(42),其中第六弧线(26)相对于直线部分(42)凹陷。
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