[发明专利]作为垂直晶体管的局部互连件的顶部金属焊盘有效
| 申请号： | 201510262838.2 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN106206514B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 连万益;邱奕勋;游家权;黄禹轩;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构包括第一垂直晶体管和第二垂直晶体管。第一垂直晶体管包括第一半导体沟道、位于第一半导体沟道上方的第一顶部源极/漏极区以及覆盖第一顶部源极/漏极区的第一顶部源极/漏极焊盘。第二垂直晶体管包括第二半导体沟道、位于第二半导体沟道上方的第二顶部源极/漏极区以及覆盖第二顶部源极/漏极区的第二顶部源极/漏极焊盘。局部互连件互连第一顶部源极/漏极焊盘和第二顶部源极/漏极焊盘。第一顶部源极/漏极焊盘、第二顶部源极/漏极焊盘和局部互连件是连续区域的部分，在第一顶部源极/漏极焊盘、第二顶部源极/漏极焊盘和局部互连件之间没有可辨识的界面。本发明还涉及作为垂直晶体管的局部互连件的顶部金属焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 垂直 晶体管 局部 互连 顶部 金属 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：第一垂直晶体管，包括：第一半导体沟道；第一顶部源极/漏极区，位于所述第一半导体沟道上方；和第一顶部源极/漏极焊盘，覆盖所述第一顶部源极/漏极区；第二垂直晶体管，包括：第二半导体沟道；第二顶部源极/漏极区，位于所述第二半导体沟道上方；和第二顶部源极/漏极焊盘，覆盖所述第二顶部源极/漏极区；以及局部互连件，互连所述第一顶部源极/漏极焊盘和所述第二顶部源极/漏极焊盘，其中，所述第一顶部源极/漏极焊盘、所述第二顶部源极/漏极焊盘和所述局部互连件是连续区域的部分，在所述第一顶部源极/漏极焊盘、所述第二顶部源极/漏极焊盘和所述局部互连件之间没有可辨识的界面；金属硅化物层，位于所述第一顶部源极/漏极区和所述第一顶部源极/漏极焊盘之间以及所述第二顶部源极/漏极区和所述第二顶部源极/漏极焊盘之间。
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