[发明专利]具有互连结构的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201510262888.0 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN106206690B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 戚国强;张嘉德;吕志弘;陈维青 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了半导体器件结构和形成该半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上的栅电极。半导体器件结构也包括第一接触结构，第一接触结构包括第一部分和第二部分。第一接触结构的第一部分形成在栅电极中，并且第二部分形成在第一部分上。本发明还涉及具有互连结构的半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 互连 结构 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：衬底；栅电极，形成在所述衬底上；第一接触结构，包括第一部分和第二部分，其中，所述第一接触结构的所述第一部分形成在所述栅电极中，并且所述第二部分形成在所述第一部分上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510262888.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：具有共形氧化物层的鳍式场效应晶体管及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
