[发明专利]一种深度负载可调的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510263208.7 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN106298503B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深度负载可调的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够在不增加工艺的前提下，调节硅片的深度负载效应。该深度负载可调的刻蚀方法包括硬掩膜刻蚀步骤、深度负载效应调节步骤和浅沟槽刻蚀步骤；在所述硬掩膜刻蚀步骤中，对大开口处和小开口处的硬掩膜进行刻蚀，直至所述大开口处的硬掩膜完全去除，所述小开口处的硬掩膜部分残留；在所述深度负载效应调节步骤中，对所述小开口处的硬掩膜进行刻蚀，直至所述小开口处的硬掩膜完全去除，对所述大开口处的硅进行刻蚀，所述大开口处的刻蚀深度和所述小开口处的刻蚀深度之间的差异可调；在所述浅沟槽刻蚀步骤中，对所述大开口处和所述小开口处的硅进行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深度 负载 可调 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种深度负载可调的刻蚀方法，其特征在于，包括硬掩膜刻蚀步骤、深度负载效应调节步骤和浅沟槽刻蚀步骤；在所述硬掩膜刻蚀步骤中，对大开口处和小开口处的硬掩膜进行刻蚀，直至所述大开口处的硬掩膜完全去除，所述小开口处的硬掩膜部分残留；在所述深度负载效应调节步骤中，对所述小开口处的硬掩膜进行刻蚀，直至所述小开口处的硬掩膜完全去除，对所述大开口处的硅进行刻蚀，所述大开口处的刻蚀深度和所述小开口处的刻蚀深度之间的差异可调；所述深度负载效应调节步骤包括深度刻蚀步骤和后清除步骤，在所述深度刻蚀步骤中，对所述大开口处的硅进行刻蚀，刻蚀深度可调节；在所述后清除步骤中，刻蚀去除所述小开口处残留的所述硬掩膜；在所述后清除步骤中，采用对硅选择比高的刻蚀气体；在所述浅沟槽刻蚀步骤中，对所述大开口处和所述小开口处的硅进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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