[发明专利]一种自旋阀结构及其作为巨磁电阻应力传感器的应用有效

专利信息
申请号: 201510263633.6 申请日: 2015-05-21
公开(公告)号: CN106291413B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 詹清峰;刘鲁萍;刘宜伟;李润伟 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 代理人: 单英
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种自旋阀结构。该自旋阀结构中的铁磁自由层设计为两层结构,一层是由磁致伸缩材料构成的磁致伸缩层,另一层是由自旋极化率材料构成的自旋极化层,并且自旋极化层与非磁性层相邻,因此集成了磁致伸缩材料与自旋极化率材料的优点,对应力敏感并且磁电阻率高,可作为巨磁电阻应力传感器的核心部件,具有高灵敏度。
搜索关键词: 一种 自旋 结构 及其 作为 磁电 应力 传感器 应用
【主权项】:
一种自旋阀结构,主要由铁磁自由层、非磁性层、铁磁被钉扎层以及反铁磁钉扎层依次层叠构成,其特征是:沿着所述的层叠方向,所述的铁磁自由层是两层结构,一层是由磁致伸缩材料构成的磁致伸缩层,另一层是由自旋极化材料构成的自旋极化层,并且所述的自旋极化层与非磁性层相邻。
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