[发明专利]用于化学气相沉积工艺的设备有效
申请号: | 201510263941.9 | 申请日: | 2015-05-21 |
公开(公告)号: | CN106282968B | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 陈修康;彭亮 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种用于化学气相沉积工艺的设备,该设备包括:公共腔、多个工艺腔、控制阀、真空泵及氮气系统,其中,公共腔上连接有多个工艺腔,用于为多个工艺腔输送工件,且工艺腔通过控制阀与真空泵及氮气系统连通。该技术方案,利用控制阀直接将氮气系统与工艺腔相连通,从而不需要公共腔便可将工艺腔内恢复成大气状态,一方面工艺腔内的残留物质不能进入到公共腔,从而确保了公共腔及其它工艺腔的整洁度,进而确保了其它工艺腔内的工件的质量,另一方面,减少了清洗公共腔及将公共腔抽成真空的环节,从而提高了工件的加工效率。 | ||
搜索关键词: | 工艺腔 公共腔 氮气系统 控制阀 化学气相沉积 真空泵 抽成真空 大气状态 加工效率 输送工件 整洁度 连通 清洗 残留 环节 恢复 | ||
【主权项】:
1.一种用于化学气相沉积工艺的设备,其特征在于,包括:公共腔、多个工艺腔、控制阀、真空泵及氮气系统,其中,所述公共腔与多个所述工艺腔连接,用于为多个所述工艺腔输送工件,且所述工艺腔通过所述控制阀与所述真空泵及所述氮气系统连通;所述控制阀包括:本体,所述本体上设置有与所述真空泵连通的第一接口、与所述工艺腔连通的第二接口及与所述氮气系统连通的第三接口,且所述第一接口与所述第二接口及所述第三接口相互连通;其中,所述第三接口的侧壁上设置有截流件,用于调节进入所述第三接口的氮气的流量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司,未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510263941.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:含硅膜的成膜方法以及成膜装置
- 下一篇:化学气相沉积装置及其沉积方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的