[发明专利]多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201510264389.5 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN106283180A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 丁欣 | 申请（专利权）人： | 丁欣 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所31210 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 200123 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅的制造方法，包括：将硅芯布置于反应室中；在反应室中通入反应气体，反应气体包括硅的前驱物，当硅的前驱物为氯代硅烷时，反应气体进一步包括氢气；在反应室中激励出等离子体或者从外部等离子源向反应室中注入等离子体；以及反应气体在硅芯的表面上等离子增强化学气相沉积多晶硅，其中，硅芯的数量为一根或者多根，并且当硅芯的数量为多根时，在反应室中，各硅芯之间彼此独立。本发明还提供了一种单晶硅的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 以及 单晶硅 | ||
【主权项】：
一种多晶硅的制造方法，其特征在于，包括：将硅芯布置于反应室中；在所述反应室中通入反应气体，所述反应气体包括硅的前驱物，当所述硅的前驱物为氯代硅烷时，所述反应气体进一步包括氢气；在所述反应室中激励出等离子体或者从外部等离子源向所述反应室中注入等离子体；以及所述反应气体在所述硅芯的表面上等离子增强化学气相沉积多晶硅，其中，所述硅芯的数量为一根或者多根，并且当所述硅芯的数量为多根时，在所述反应室中，各所述硅芯之间彼此独立。
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