[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制作方法和电子装置，提供具有PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，PMOS区域包括第一虚拟栅极，NMOS区域包括第二虚拟栅极，在半导体衬底上还形成有环绕第一和第二虚拟栅极并露出第一和第二虚拟栅极顶面的层间介电层；去除第一虚拟栅极以形成沟槽；在沟槽中和层间介电层上沉积形成功函数金属层；执行平坦化工艺；在半导体衬底上形成具有拉伸应力的硬掩膜层；执行退火工艺，以使功函数金属层记忆部分或者全部硬掩膜层的拉伸应力。该方法减少了PMOS区域中功函数金属层的损伤，同时没有影响器件性能和结构，进而避免了在晶片边缘的SWL失效的问题，最终提高了器件的良品率。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供具有PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底，所述PMOS区域包括第一虚拟栅极，所述NMOS区域包括第二虚拟栅极，其中，在所述半导体衬底上还形成有环绕所述第一虚拟栅极和所述第二虚拟栅极并露出所述第一虚拟栅极和所述第二虚拟栅极顶面的层间介电层；去除所述第一虚拟栅极以形成沟槽；在所述沟槽中和所述层间介电层上沉积形成功函数金属层，所述功函数金属层填满所述沟槽；执行平坦化工艺，直至露出所述层间介电层；在所述半导体衬底上形成具有拉伸应力的硬掩膜层；执行退火工艺，以使所述功函数金属层记忆部分或者全部所述硬掩膜层的拉伸应力。