[发明专利]一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法

摘要

本发明公开了一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法。把清洗后的衬底放在热蒸发仪真空室的样品架上(Emitech,K950X)。把合适尺寸的前驱体，0.1‑0.3 g，放在 W篮里关闭该室。在室温下，把该室抽成1.0×10‑3‑1.0×10‑5 mbar的真空，通过调整穿过W篮的电流来控制蒸发速度。首先，电流从0 A缓慢增加到6‑10 A，然后等待直到 W篮变成红色。然后，电流进一步增至13‑20 A并保持 5‑10 s，最后，降低电流为 0 A 来完成整个蒸发过程。本发明采用单源热蒸发技术，避免了多元热蒸发技术里对每个蒸发源的复杂控制问题；采用富元素Cd的CdS QDS为前躯体，该制备方法为室温共沉淀法，易操作且产率很高。

主权项

一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法,其特征在于，在室温衬底上，应用富Cd元素的CdS量子点为前躯体材料，通过热蒸发法原位制备近化学计量的CdS薄膜，步骤为：把清洗后的衬底放在热蒸发仪真空室的样品架上，把合适尺寸的前驱体， 0.1‑0.3 g，放在 W篮里关闭该室，在室温下，把该室抽成1.0×10‑3‑1.0×10‑5 mbar的真空，通过调整穿过W篮的电流来控制蒸发速度，首先，电流从0 A缓慢增加到6‑10 A，然后等待直到 W篮变成红色，然后，电流进一步增至13‑20 A并保持 5‑10 s，最后，降低电流为 0 A 来完成整个蒸发过程。