[发明专利]一种电荷俘获存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510264942.5 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104952877B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;李玉成 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司13112 | 代理人： | 白海静 |
| 地址： | 071002 河北省保*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p‑Si衬底、SiO2隧穿层、Zr0.5Hf0.5O2膜层和电极膜层；所述电极膜层为Au或Pt电极膜层；所述Zr0.5Hf0.5O2膜层是在p‑Si衬底上通过磁控溅射所制成，所述SiO2隧穿层是在形成所述Zr0.5Hf0.5O2膜层后通过退火工艺而形成，所述电极膜层是在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层上通过真空蒸镀而形成。本发明通过控制退火温度和退火时间，可得到厚度适中的SiO2隧穿层，合适厚度的SiO2隧穿层和Zr0.5Hf0.5O2膜层中的氧空位对器件有很大的影响，可使器件表现出良好的存储特性和保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷 俘获 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电荷俘获存储器，其特征是，其结构由下至上依次是p‑Si衬底、SiO2隧穿层、Zr0.5Hf0.5O2膜层和电极膜层；所述电极膜层为Au电极膜层或Pt电极膜层；所述Zr0.5Hf0.5O2膜层是在p‑Si衬底上通过磁控溅射所制成，所述SiO2隧穿层是在形成所述Zr0.5Hf0.5O2膜层后通过退火工艺而形成，所述电极膜层是在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层上通过真空蒸镀而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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