[发明专利]三维半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510265966.2 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106298890A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 古绍泓;李智雄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/788;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了改善的半导体存储器元件及制造此类半导体存储器元件的方法。该半导体存储器元件中，栅极结构包括：一基板；一第一介电层，沿该基板配置；一第一导电层，沿该第一介电层配置；以及一第二介电层，沿该第一导电层配置，其中该第一导电层包括多个p型掺杂物及多个n型掺杂物，且其中该些p型掺杂物形成一p型掺杂物区域，且该些n型掺杂物形成一n型掺杂物区域。此方法可包含于导体层中形成p-n结。此方法能够产生尺寸缩减的半导体存储器元件。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种栅极结构，其特征在于，包括：一基板；一第一介电层，沿该基板配置；一第一导电层，沿该第一介电层配置；以及一第二介电层，沿该第一导电层配置，其中该第一导电层包括多个p型掺杂物及多个n型掺杂物，且其中该些p型掺杂物形成一p型掺杂物区域，且该些n型掺杂物形成一n型掺杂物区域。
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