[发明专利]一种超低K介质材料刻蚀深度的控制方法有效
| 申请号： | 201510266174.7 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106298636B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 孙武;李莉;杨乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超低K介质材料刻蚀深度的控制方法，该方法包括以下步骤：首先，设定刻蚀机上刻蚀气体的气体流量，利用所述刻蚀气体刻蚀一晶圆上的超低K介质材料层，然后测量所述晶圆的超低K介质材料层的刻蚀深度；接着，根据测量的所述刻蚀深度，由APC系统来判断所述刻蚀深度是否偏离目标深度；若所述刻蚀深度偏离所述刻蚀深度，则由所述APC系统输出调整的气体流量参数，刻蚀机根据所述参数来调整刻蚀气体流量，进而使下一片晶圆的刻蚀深度更加接近所述目标深度。本发明通过APC反馈来调整机台上刻蚀气体的流量，并通过晶圆和晶圆间刻蚀流量的不同来改变超低K介质材料的刻蚀深度，从而使刻蚀深度满足工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 材料 刻蚀 深度 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超低K介质材料刻蚀深度的控制方法，其特征在于，所述控制方法至少包括：设定刻蚀机上刻蚀气体的气体流量，利用所述刻蚀气体刻蚀一晶圆上的超低K介质材料层，然后测量所述晶圆的超低K介质材料层的刻蚀深度，所述超低K介质材料层的刻蚀深度与气体流量呈反比的线性关系；根据测量的所述刻蚀深度，由APC系统来判断所述刻蚀深度是否偏离目标深度，若所述刻蚀深度等于所述目标深度，则下一片晶圆采用与上一片晶圆相同气体流量的刻蚀气体；若所述刻蚀深度偏离所述刻蚀深度，则由所述APC系统输出调整的气体流量参数，刻蚀机根据所述参数来调整刻蚀气体流量，进而使下一片晶圆的刻蚀深度更加接近所述目标深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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