[发明专利]一种二次离子质谱分析方法有效
| 申请号： | 201510266363.4 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106290544B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李震远 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种二次离子质谱分析方法，包括以下步骤：提供一样品，所述样品包括衬底，其上形成有测试区域及至少一个与衬底连通的导电有源区；所述测试区域自下而上依次包括电介质层及测试层；选择其中一个导电有源区作为辅助有源区；确定所述测试层与辅助有源区的预设连接路径，并在其上形成连接所述测试层及辅助有源区的导电金属线；采用一次离子束轰击测试层表面，并采用探测器接收测试层表面发射的二次离子，进行二次离子质谱分析。由于所述测试层与样品上的导电部分相连接，可以达到像正常样品一样进行SIMS分析的目的。本发明的二次离子质谱分析方法操作简单，不需要改变测试区域的结构，对SIMS测试结果不产生干扰，且测试结果准确，一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二次 离子 谱分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二次离子质谱分析方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一样品，所述样品包括衬底，所述衬底上形成有测试区域及至少一个与所述衬底连通的导电有源区；所述测试区域自下而上依次包括电介质层及测试层；选择其中一个所述导电有源区作为辅助有源区；确定所述测试层与所述辅助有源区的预设连接路径；在所述预设连接路径上形成连接所述测试层及所述辅助有源区的导电金属线；采用一次离子束轰击所述测试层表面，并采用探测器接收所述测试层表面发射的二次离子，进行二次离子质谱分析。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510266363.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
