[发明专利]硅衬底及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。

主权项

一种制备硅衬底的方法，其特征在于，方法包括：步骤1，在晶体硅的表面上生长氧化硅层；步骤2，在所述氧化硅层上涂光刻胶，使用光刻板进行光刻，其中，光刻板的光刻图形为周期性排布的正方形，使所述氧化硅层上具有周期性排布的正方形光刻胶；步骤3，腐蚀无光刻胶覆盖的氧化硅层，去胶，使得在晶体硅上具有周期性排布的正方形氧化硅层；步骤4：采用所述正方形氧化硅层作为掩膜，对晶体硅的非图形区域再次进行腐蚀，将非图形区域腐蚀出V型沟槽，所述氧化硅层随腐蚀时间增加不断变小，直至消失；步骤5：去除残留的氧化硅，形成表面上排布有周期性正金字塔结构的硅衬底。