[发明专利]一种非晶纳米晶合金薄带及其制备方法有效
| 申请号： | 201510266742.3 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104805382B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 吴雪;马光;杨富尧;程灵;高洁;韩钰;陈新;祝志祥;聂京凯 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | C22C45/02 | 分类号： | C22C45/02;C22C38/16;H01F1/153;B22D11/06;C21D1/26 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非晶纳米晶合金薄带及其制备方法，所述合金的组成的表示式Fe73.2Cu1Mo3‑xVxSi12B10.5P0.3，其中0<x≤2.5。将按合金中各元素的比例配置的原料熔炼，浇铸成合金锭；再用单辊熔淬法甩带制成非晶薄带；最后进行晶化热处理得到非晶纳米晶合金薄带。本发明技术方案制得的合金薄带的饱和磁感强度不低于1.4T，制备工艺简单，合金成本低廉，制备的非晶纳米晶合金薄带具有高频低铁损，高磁导率，稳定性好的性能特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶纳米晶合金薄带，其特征在于，所述合金组成表示式为：Fe73.2Cu1Mo3‑xVxSi12B10.5P0.3，其中0<x≤2.5所述的非晶纳米晶合金薄带的制备方法，包括以下步骤1)原料配制：按所述合金中各元素的比例配制下述原料：Fe粉、Cu丝、Mo块、Si块以及FeV、和FeB和FeP合金；2)制锭：将步骤1)的原料放入真空频感应炉中于3～5×10‑3Pa压力、1300～1500℃温度和搅拌下熔炼5～10min熔炼3～5次，烧铸成合金锭；3)制成薄带：将合金锭破碎、清洗并干燥，再用喷带温度为1200～1300℃、辊面转动线速度为35～42m/s且急冷速度＞105℃/s的单辊熔淬法甩带制成非晶薄带；4)晶化处理：于真空炉中晶化热处理步骤3)中的非晶薄带。
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