[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的各个实施例涉及一种半导体器件。公开了一种半导体器件及其生产方法。该半导体器件包括半导体本体、和集成在该半导体本体中的至少一个器件单元(10₁、10₂)。该至少一个器件单元包括：漂移区域(11)、源极区域(12)和布置在源极区域(12)与漂移区域(11)之间的本体区域(13)；二极管区域(30)和在二极管区域(30)与漂移区域(11)之间的pn结；沟槽，具有第一侧壁(110₁)、与第一侧壁相对的第二侧壁(110₂)、和底部(110₃)；其中本体区域(13)与第一侧壁(110₁)邻接，二极管区域(30)与第二侧壁(110₂)邻接，并且pn结与沟槽的底部(110₃)邻接；栅极电极(21)，布置在沟槽中，并且通过栅极电介质(22)与本体区域(13)、二极管区域(30)和漂移区域(11)介电绝缘；其中二极管区域(30)包括布置在沟槽的底部(110₃)下方的下二极管区域；并且其中下二极管区域包括与沟槽的底部(110₃)远离的掺杂浓度最大值。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体本体、和集成在所述半导体本体中的至少一个器件单元(101、102)，所述至少一个器件单元包括：漂移区域(11)、源极区域(12)、和布置在所述源极区域(12)与所述漂移区域(11)之间的本体区域(13)；二极管区域(30)、和在所述二极管区域(30)与所述漂移区域(11)之间的pn结；沟槽，具有第一侧壁(1101)、与所述第一侧壁相对的第二侧壁(1102)、和底部(1103)，其中所述本体区域(13)与所述第一侧壁(1101)邻接，所述二极管区域(30)与所述第二侧壁(1102)邻接，并且所述pn结与所述沟槽的所述底部(1103)邻接；栅极电极(21)，布置在所述沟槽中，并且通过栅极电介质(22)与所述本体区域(13)、所述二极管区域(30)和所述漂移区域(11)介电绝缘；其中所述二极管区域(30)包括布置在所述沟槽的所述底部(1103)下方的下二极管区域；并且其中所述下二极管区域包括在所述二极管区域处的掺杂浓度的最大值，所述掺杂浓度的所述最大值与所述沟槽的所述底部(1103)远离。