[发明专利]一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法有效
| 申请号： | 201510267705.4 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106298557B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 沈文江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法，包括：在第一基片的键合面上形成第一金图案层；在第二基片的键合面上形成凸点图案层；在第二基片的键合面上依次形成覆盖所述凸点图案层的第二金图案层和铟图案层；将所述第一基片的键合面与所述第二基片的键合面对准并固定，以进行键合。本发明使用了在金属薄膜底层增加凸点图案层，此凸点图案层不仅降低了键合对准精度，同时也增强了键合过程中的接触力，可以大大提高键合质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 au in 等温 凝固 低温 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于Au/In等温凝固的低温键合方法，其特征在于，包括：在第一基片的键合面上形成第一金图案层；在第二基片的键合面上形成凸点图案层；在第二基片的键合面上依次形成覆盖所述凸点图案层的第二金图案层和铟图案层；将所述铟图案层表面的铟氧化层去除，并将所述第一基片的键合面与所述第二基片的键合面对准并固定，以进行键合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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