[发明专利]一种PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法有效
| 申请号： | 201510268660.2 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104928625B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 熊天英;吴杰;沈艳芳;崔新宇;金花子;吴敏杰;唐伟东;侯涛;李茂程 | 申请（专利权）人： | 沈阳富创精密设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/22 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙)21234 | 代理人： | 任凯 |
| 地址： | 110168 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法，具体涉及一种PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法。本发明的技术方案为，以不锈钢、镍合金或耐热钢材料作为半导体装备用抗高温蠕变接地基片的基体，采用PVD技术在所述基体表面制备无氧化纯铝涂层，制得半导体装备用抗高温蠕变接地基片。本发明一方面利用纯铝的导电性能及其与大规模集成电路工艺的相容性，另一方面利用基体的力学性能解决接地基片抗高温蠕变性不够的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvd 制备 半导体 装备 高温 接地 方法 | ||
【主权项】：
一种PVD制备半导体装备用抗高温蠕变接地基片的方法，其特征在于，所述方法以不锈钢、镍合金或耐热钢材料作为半导体装备用抗高温蠕变接地基片的基体，采用PVD技术在所述基体表面制备无氧化纯铝涂层，制得半导体装备用抗高温蠕变接地基片；具体步骤如下：(1)所述基体的前处理：将所述基体表面先进行纹理处理，纹理处理工艺参数为：320#砂纸抛光，去除基体表面积碳层，再用无水乙醇进行清洗；(2)采用物理气相沉积工艺制备纯铝涂层，利用PVD真空镀膜系统，使气态的铝原子定向沉积于所述基体表面，形成无氧化纯铝涂层；物理气相沉积工艺参数如下：距离550mm，阴极电压20～40V，电流70～90A，真空度1×10‑3～6×10‑3Pa，辅助沉积电压800V，辅助沉积电流1A，纯铝涂层厚度1～50微米。
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