[发明专利]提升阻变存储器稳定性的方法及其应用在审
| 申请号： | 201510270465.3 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106299106A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王志勇;杜刚;曾中明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提升阻变存储器稳定性的方法及其应用。该方法包括：提供在阻变存储器用作阻变材料的金属氧化物薄膜；将一个以上导电AFM悬臂与所述金属氧化薄膜接触；在该一个以上导电AFM悬臂与金属氧化物薄膜之间施加设定电压，从而在该一个以上导电AFM悬臂与金属氧化物薄膜之间形成能够作为局域导电通道的一条以上导电细丝；以及，至少通过调整所述导电细丝的数量而调控所述阻变存储器的高阻态与低阻态之间的转变。藉由本发明可方便的调控阻变存储器的性能，提升其稳定性，且操作简单，成本低廉，可控性高，尤其适合应用于制备金属氧化物阻变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 存储器 稳定性 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种提升阻变存储器稳定性的方法，其特征在于包括：提供在阻变存储器用作阻变材料的金属氧化物薄膜，将一个以上导电AFM悬臂与所述金属氧化薄膜接触，在该一个以上导电AFM悬臂与金属氧化物薄膜之间施加设定电压，从而在该一个以上导电AFM悬臂与金属氧化物薄膜之间形成能够作为局域导电通道的一条以上导电细丝，至少通过调整所述导电细丝的数量而调控所述阻变存储器的高阻态与低阻态之间的转变。
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