[发明专利]二维光栅双波长DFB激光器的制作方法

摘要

一种二维光栅双波长DFB激光器的制作方法，包括步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下分别限制层、多量子阱和上分别限制层；步骤2：在上分别限制层上涂甩光刻胶；步骤3：调整全息曝光的干涉条纹周期，进行第一次全息曝光；步骤4：调整全息曝光的干涉条纹周期，在垂直上一次全息曝光的方向上，进行第二次全息曝光；步骤5：显影，并刻蚀出光栅形貌；步骤6：将一部分多量子阱和上分别限制层腐蚀掉；步骤7：在有源区的上分别限制层和无源区的下分别限制层上外延生长包层和接触层；步骤8：在有源区的接触层上刻蚀有源波导结构，在无源区的接触层上刻蚀无源波导结构；步骤9：在有源区的波导上做电极，将衬底减薄，制作背面电极，完成制备。

主权项

1.一种二维光栅双波长DFB激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下分别限制层、多量子阱和上分别限制层；步骤2：在上分别限制层上涂甩用于制作光栅的光刻胶；步骤3：调整全息曝光的干涉条纹周期，进行第一次全息曝光；步骤4：调整全息曝光的干涉条纹周期，在垂直上一次全息曝光的方向上，进行第二次全息曝光；步骤5：显影，并刻蚀出光栅形貌；步骤6：将一部分多量子阱和上分别限制层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源激光器区；步骤7：在有源区的上分别限制层和无源区的下分别限制层上外延生长包层和接触层；步骤8：在有源区的接触层上刻蚀有源波导结构，在无源区的接触层上刻蚀无源波导结构，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度；其中所述下分别限制层作为无源区波导芯层；步骤9：在有源区的波导上做电极，将衬底减薄，在减薄后的衬底背面制作电极，完成制备；其中，所述有源区包含激光器个数等于2，一个激光器的波导方向垂直于第一次全息曝光的干涉条纹方向，另一个激光器的波导方向垂直于第二次全息曝光干涉条纹的方向，利用二维光栅在两个相互垂直方向上的周期性的不同，实现两个不同波长的激射。