[发明专利]低形成电压的阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510271467.4 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106299107A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杜刚;王超;李涛;曾中明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低形成电压的阻变存储器，包括依次叠层设置在衬底上的惰性电极层、电阻转变层和活性电极层；还包括设置在电阻转变层和活性电极层之间的一含有缺陷的界面层。本发明还公开了上述低形成电压的阻变存储器的制备方法，包括步骤：A、在衬底上依次制备惰性电极层、电阻转变层和活性电极层；B、将具有惰性电极层、电阻转变层和活性电极层的结构在缺氧气氛中退火。该方法充分利用活性电极层的吸氧能力，通过退火处理，使得活性电极层吸收电阻转变层中的氧离子，在活性电极层与电阻转变层之间形成含有缺陷的界面层，并且使电阻转变层中产生大量氧空位，该方法可更好的控制氧空位缺陷的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电压 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低形成电压的阻变存储器，包括依次叠层设置在衬底上的惰性电极层、电阻转变层和活性电极层，其特征在于，所述电阻转变层和所述活性电极层之间还包括一含有缺陷的界面层。
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