[发明专利]阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510271468.9 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106299108B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 杜刚;王超;李涛;曾中明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器，包括依次叠层设置于衬底上的第一电极、阻变材料层、第二电极，还包括间隔形成于第一电极与阻变材料层界面处或/和第二电极与阻变材料层界面处的导电凸起阵列。该阻变存储器通过在第一电极或/和第二电极与阻变材料层的界面处制备分布均匀且可控的导电凸起阵列，使电场集中在导电凸起阵列上，增加了在导电凸起阵列处形成导电通道的概率，从而提高了该阻变存储器工作的稳定性，提高了阻变存储器的均一性。本发明还公开了上述阻变存储器的制备方法，包括：A、在衬底上制备第一电极、阻变材料层、第二电极的步骤；B、在第一电极与阻变材料层界面处或/和第二电极与阻变材料层界面处制备导电凸起阵列的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述阻变存储器包括依次叠层设置的衬底、第一电极、阻变材料层、第二电极、以及形成于所述第一电极与阻变材料层界面处或/和所述第二电极与阻变材料层界面处的导电凸起阵列；所述制备方法包括：A、在衬底上制备第一电极、阻变材料层、第二电极的步骤；B、在所述第一电极与阻变材料层界面处或/和所述第二电极与阻变材料层界面处制备导电凸起阵列的步骤；其中，制备导电凸起阵列的步骤具体包括：采用旋涂法在所述第一电极与阻变材料层界面处或/和所述第二电极与阻变材料层界面处涂布纳米球阵列；采用自组装技术将所述纳米球阵列自组装形成纳米球层；以所述纳米球层为掩膜，采用在所述纳米球层上沉积形成金属薄膜；其中，所述沉积方法选自化学气相沉积、物理气相沉积、电子束蒸发、溅射、原子层沉积、热蒸发中的任意一种；腐蚀去除所述纳米球层，形成所述导电凸起阵列。
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