[发明专利]PMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510271631.1 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106298915B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;郑喆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种PMOS晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构，所述栅极结构两侧的侧壁表面具有侧墙，在栅极结构两侧的半导体衬底中形成第一沟槽，对第一沟槽进行处理，形成向栅极结构底部区域突出的第二沟槽，在第二沟槽中填充第一应力层；在第一应力层的顶部表面形成覆盖层；所述第一应力层的顶部表面能够被覆盖层完全覆盖，刻蚀去除所述侧墙后，所述第一应力层的顶部表面不会受到刻蚀损伤。所述PMOS晶体管的形成方法提高了PMOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有多个栅极结构，所述栅极结构两侧的侧壁表面具有侧墙，所述侧墙的暴露面与半导体衬底表面具有第一交界线；在栅极结构两侧的半导体衬底中形成第一沟槽，沿着平行于第一交界线的方向所述第一沟槽与半导体衬底顶部表面具有第二交界线，所述第二交界线与所述第一交界线重合，或所述第二交界线位于相邻侧墙之间暴露的半导体衬底表面；对第一沟槽进行处理，形成向栅极结构底部区域突出的第二沟槽，沿着平行于第一交界线的方向所述第二沟槽与半导体衬底顶部表面具有第三交界线，所述第三交界线与所述第一交界线重合，或所述第三交界线位于相邻侧墙之间暴露的半导体衬底表面，所述第二沟槽的两侧具有尖端；在所述尖端接触的半导体衬底中形成第三沟槽；在第二沟槽中填充第一应力层，在第二沟槽填充第一应力层的同时在第三沟槽中填充第二应力层；在第一应力层的顶部表面形成覆盖层；刻蚀去除所述侧墙。
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