[发明专利]一种局部背接触太阳能电池的背面开口结构有效
申请号: | 201510271741.8 | 申请日: | 2015-05-25 |
公开(公告)号: | CN104851925B | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 吴坚;王栩生;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/049 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种局部背接触太阳能电池的背面开口结构,包括复数个形成于钝化层上的开口,且各个开口的大小相同;相邻开口之间的间距小于等于开口的尺寸。本发明通过将相邻开口之间的间距控制成小于等于圆形开口的直径,即可避免应是硅铝合金的区域形成空洞的现象,且取得了意想不到的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 局部 接触 太阳能电池 背面 开口 结构 | ||
【主权项】:
一种局部背接触太阳能电池的背面开口结构,包括复数个形成于钝化层上的开口,且各个开口的大小相同;其特征在于:所述开口的形状为圆形,且在横向方向上,相邻开口之间的间距小于等于圆形开口的直径,所述开口的尺寸为20~40微米;所述开口通过激光形成;所述激光脉冲不重叠;所述局部背接触太阳能电池的结构为:包括具有PN结的硅片层,以及依次设于硅片层背面的钝化层、氮化硅薄膜层和铝金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510271741.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜太阳能电池及其形成方法
- 下一篇:异构光伏焊带及其加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的