[发明专利]双沟道超结IGBT

摘要

本发明涉及一种双沟道超结IGBT，其包括半导体基板，在所述半导体基板的耐压区设置的第一导电类型柱以及第二导电类型柱；在第二导电类型柱上方形成有栅极，在第一导电类型柱上方设有第二导电类型阱区，在第二导电类型阱区内设有第一导电类型注入区，第一导电类型注入区以及第二导电类型阱区均与发射极金属层欧姆接触；第二导电类型柱的宽度大于栅极的宽度，栅极与第一导电类型柱以及第二导电类型柱均接触，以通过第二导电类型阱区、第一导电类型柱以及第二导电类型柱形成所需的导电沟道。本发明结构紧凑，提高了耐压，降低了静态损耗，在关断时，栅极增加负压，产生P型沟道，使空穴能被快速抽走，从而大幅增加关断速度，降低关断损耗，安全可靠。

主权项

一种双沟道超结IGBT，包括半导体基板，在所述半导体基板的耐压区设置若干交替分布的第一导电类型柱以及第二导电类型柱；在第二导电类型柱上方形成有栅极，在第一导电类型柱上方设有第二导电类型阱区，在第二导电类型阱区内设有第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区以及第二导电类型阱区均与用于形成发射极的发射极金属层欧姆接触；其特征是：第二导电类型柱的宽度大于栅极的宽度，栅极与第一导电类型柱以及第二导电类型柱均接触，以通过第二导电类型阱区、第一导电类型柱以及第二导电类型柱形成所需的导电沟道，第一导电类型柱的宽度与第二导电类型柱的宽度相同，且第一导电类型柱的掺杂浓度与第二导电类型柱的掺杂浓度相同。