[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：在高K介质层以及第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的侧壁表面上形成第一金属层；在第一金属层上形成第二金属层；在第二金属层上形成无机填充层，无机填充层填充满第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，且第二区域的无机填充层的厚度大于第一区域的无机填充层的厚度；在所述无机填充层上形成可回流的有机涂层，第二区域的可回流的有机涂层的厚度小于第一区域的可回流的有机涂层的厚度；刻蚀去除第二区域和第一区域内的NMOS区上的可回流的有机涂层、无机填充层和第二金属层，暴露出第一金属层的表面。本发明的方法防止采用单一无机填充层带来的厚度差异并导致的不同区域的金属层的刻蚀损伤。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括NMOS区和PMOS区，PMOS区的半导体衬底上具有若干第一伪栅，NMOS区的半导体衬底上具有若干第二伪栅，第二区域的半导体衬底上具有若干第三伪栅，所述第一伪栅和第二伪栅的密度大于第三伪栅的密度，所述第一伪栅、第二伪栅以及第三伪栅与半导体衬底之间具有高K介质层，所述第一伪栅和第二伪栅的密度为单位面积内第一伪栅和第二伪栅的数量，所述第三伪栅的密度为单位面积内第三伪栅的数量；形成覆盖所述半导体衬底、第一伪栅、第二伪栅和第三伪栅的介质层，所述介质层的表面与第一伪栅、第二伪栅和第三伪栅的顶部表面齐平；去除所述第一伪栅、第二伪栅和第三伪栅，形成第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；在所述高K介质层上以及第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽的侧壁表面上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二金属层；在第二金属层上形成无机填充层，无机填充层填充满第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽，且第二区域的无机填充层的厚度大于第一区域的无机填充层的厚度；在所述无机填充层上形成可回流的有机涂层，第二区域的可回流的有机涂层的厚度小于第一区域的可回流的有机涂层的厚度，所述可回流的有机涂层用于消除无机填充层的第一区域和第二区域上的厚度差异，使得无机填充层和可回流的有机涂层构成的整体结构具有平坦的表面；在所述可回流的有机涂层上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层暴露出第二区域和第一区域内的NMOS区的可回流的有机涂层表面；刻蚀去除第二区域和第一区域内的NMOS区上的可回流的有机涂层、无机填充层和第二金属层，暴露出第一金属层的表面。