[发明专利]一种准单晶硅片微缺陷的检测方法

摘要

本发明公开了一种准单晶硅片微缺陷的检测方法，包括如下步骤(1)手动机械抛光将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光，并用去离子水冲洗；(2)化学腐蚀抛光将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光，用去离子水进行冲淋；(3)微缺陷的择优腐蚀将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀，用去离子水进行冲淋，烘箱内干燥；(4)微缺陷观察方法将腐蚀后硅片进行少数载流子寿命和铁‑硼对面扫描；结合金相显微镜观察少数载流子寿命扫描颜色分布，对缺陷部位进行精确定位，按缺陷类型进行分类，定位将硅片切割成小片，做好标记；有益效果本发明的测试方法快速准确，节能环保，无污染，实用性强。

主权项

一种准单晶硅片微缺陷的检测方法，其特征在于包括如下步骤：(1)手动机械抛光：将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光，并用去离子水冲洗；(2)化学腐蚀抛光：将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光，用去离子水进行冲淋；(3)微缺陷的择优腐蚀：将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀，用去离子水进行冲淋，烘箱内干燥；(4)微缺陷观察方法：将腐蚀后硅片进行少数载流子寿命和铁‑硼对面扫描；结合金相显微镜观察少数载流子寿命扫描颜色分布，对缺陷部位进行精确定位，并根据定位将硅片切割成多个小片，做好标记；将标记好的小片用扫描电子显微镜进行微区分析，确定缺陷类型及分布；在步骤(1)中，根据硅片表面切割线痕及机械划伤程度，所述待腐蚀的准单晶硅片的厚度为2‑3mm，所述抛光液为超细碳化硅的水悬浮液或纳米二氧化硅浆料加入体积百分比为1％的双氧水的溶液，所述抛光盘的转速30‑40r/min；在步骤(2)中，机械抛光后，清洗干净硅片采用腐蚀液对硅片进行化学腐蚀，所述腐蚀液为硝酸和氢氟酸混合液；所述氢氟酸中的氢氟酸的含量为≥40％，所述抛光腐所述硝酸中的硝酸的含量为65.0‑68.0％，所述硝酸和氢氟酸的体积比为4:1‑3:1，腐蚀时间为1‑3min，用去离子水进行冲淋2‑3次，所述硅片表面呈镜面；在步骤(3)中，所述缺陷腐蚀液为氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的混合溶液，所述氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的体积比为2:1；所述氢氟酸水溶液中的氢氟酸的含量为≥40％，所述过硫酸铵水溶液中的固液比为0.55‑0.6g/ml；腐蚀温度为80‑90℃，腐蚀时间为1‑1.5h；腐蚀完全以后，去离子水进行冲淋2‑3次，每次2‑3min，然后放置在温度100℃烘箱内，烘干时间为8‑12min至干燥。