[发明专利]一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201510272038.9 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN104947192B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 刘正太;沈大伟;李明颖;杨海峰;姚岐;刘吉山;樊聪聪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/24 | 分类号： | C30B29/24;C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料。该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿型 sriro sub 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料，所述衬底温度为500～600℃；外延生长钙钛矿型SrIrO3单晶薄膜材料时，Sr与Ir的单质束流比大于1。
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