[发明专利]钽基一维纳米阵列电极制备方法

摘要

本发明公开了一种钽基一维纳米阵列电极制备方法，以金属钽箔原料，将其放入气氛控制高温反应炉中进行表面高温控制氧化灼烧，得到表面分支定向生长的一维纳米阵列电极。得到的氧化物电极进一步转移到热处理炉中进行氮化热处理，通过控制氨气与水蒸气的比例以及流量和时间，将得到不同氮含量的钽的氮氧化物以及氮化物。制备的钽基一维纳米阵列电极分解水速率显著提高，通过复合负载相后其催化性能可进一步得到提高。本发明制备的可见光响应的钽基一维纳米阵列电极具有较高的光量子转化效率，用于太阳能转化利用，在光解水制氢、空气净化及水处理等方面具有很好的应用前景和经济效益。

主权项

钽基一维纳米阵列电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将钽箔放入气氛控制高温反应器中，通入非氧化性气氛，防止钽箔氧化，直至升温至指定温度；(2)在反应器温度到达指定温度后，通入高纯氧气进行氧化灼烧反应，控制氧气进气量及进气时间；(3)氧化灼烧反应结束后，关闭氧气进气，继续通入非氧化性气氛保护，直至温度降至室温，得到钽基一维氧化物纳米阵列电极；(4)将步骤(3)得到的钽基一维氧化物纳米阵列电极采用氨气和水蒸气的混合气流高温氮化，得到钽基一维氮化物或氮氧化物纳米阵列电极。