[发明专利]一种静电感应器件的制备方法及装置在审
申请号: | 201510272739.2 | 申请日: | 2015-05-25 |
公开(公告)号: | CN104992970A | 公开(公告)日: | 2015-10-21 |
发明(设计)人: | 杨建红;王娇;乔坚栗;闫兆文;肖彤 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L29/772 | 分类号: | H01L29/772;H01L21/335 |
代理公司: | 四川君士达律师事务所 51216 | 代理人: | 芶忠义 |
地址: | 730000 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种静电感应器件的制备方法及装置,涉及半导体器件制备,能够大大简化制备工艺程序,降低制备成本,更加适用于批量生产。技术方案要点为:将制备载体进行氧化处理;氧化后所述制备载体进行胶体附着;胶体附着后所述制备载体在栅源同刻掩蔽体的掩蔽下进行曝光;对曝光后所述制备载体中的曝光部分进行刻蚀,使所述制备载体上形成栅区和源区;将定型模板转移到刻蚀后所述制备载体上,进行胶体去除,使所述栅区和所述源区窗口同时打开;在栅刻版的掩蔽下,向打开的所述栅区注入硼离子,在源刻版的掩蔽下,向打开的所述源区注入砷离子;注入离子后的所述制备载体进行外包装。本发明主要用于静电感应器件的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电感应 器件 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种静电感应器件的制备方法,其特征在于,包括:将制备载体进行氧化处理,以便在所述制备载体表面形成氧化保护层;对氧化后所述制备载体进行胶体附着;对胶体附着后所述制备载体在栅源同刻掩蔽体的掩蔽下进行曝光;对曝光后所述制备载体中的曝光部分进行刻蚀,使所述制备载体上形成栅区和源区;将定型模板转移到刻蚀后所述制备载体上,进行胶体去除,使所述栅区和所述源区窗口同时打开;向打开的所述栅区和所述源区分别注入对应离子;在栅刻版的掩蔽下,向打开的所述栅区注入硼离子,在源刻版的掩蔽下,向打开的所述源区注入砷离子;对注入离子后的所述制备载体进行外包装,以便完成静电感应器件的制备。
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