[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。该方法是于基底上形成彼此分隔的至少二个叠层结构与其上的至少二个硬掩模图案。于基底上形成图案化掩模层，图案化掩模层具有开口，所述开口裸露出硬掩模图案的部分顶面及叠层结构之间的部分基底。以图案化掩模层及硬掩模图案为掩模，移除所裸露出的部分基底，以形成沟道。以图案化掩模层及硬掩模图案为掩模，进行离子注入工艺，以于沟道周围的基底中形成掺杂区。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：于基底上形成彼此分隔的至少二个叠层结构与分别位于所述叠层结构上的至少二个硬掩模图案；于所述基底上形成图案化掩模层，所述图案化掩模层具有开口，所述开口裸露出所述硬掩模图案的部分顶面及所述叠层结构之间的部分所述基底；以所述图案化掩模层及所述硬掩模图案为掩模，移除所裸露出的部分所述基底，以形成沟道；以及以所述图案化掩模层及所述硬掩模图案为掩模，进行离子注入工艺，以于所述沟道周围的所述基底中形成掺杂区。