[发明专利]一种优化STT‑RAM缓存写能耗的方法

摘要

一种优化STT‑RAM缓存写能耗的方法，其主要步骤是主STT‑RAM缓存增加一小容量的从SRAM缓存，统计新的缓存数据块与原有数据的相异数据位，比较写操作分别发生在STT‑RAM缓存和SRAM缓存的能耗，并且将数据写往能耗较小者，并且对主从缓存进行有效管理，从而实现对主体STT‑RAM缓存写能耗的优化。

主权项

一种优化STT‑RAM缓存写能耗的方法，其特征包括：1)对主体STT‑RAM缓存增加一小容量的伴随SRAM缓存：主体STT‑RAM缓存的写能耗高，其旁增加一小容量的写能耗较低的伴随SRAM缓存；伴随SRAM缓存采用全相联结构，最近最少使用替换策略，接收来自主体STT‑RAM缓存的数据块；2)比较写能耗后完成写更新：发生写主体STT‑RAM缓存时,预读目标地址的旧数据，将该数据与数据块按位进行比较，统计相异的数据位数，并计算写主体STT‑RAM缓存将发生的能耗；主体STT‑RAM缓存的写能耗与从伴随SRAM缓存的写能耗比较，将数据块发送到写能耗较低者；3)对主从缓存的数据读写管理：当发生数据块读操作时，如果目标缓存块的最新拷贝在伴随SRAM缓存中，就从伴随SRAM缓存读取目标缓存块的最新拷贝，否则从主体STT‑RAM缓存读取；当伴随SRAM缓存中的数据块被替换时，则数据块就直接写往内存，同时通知主体STT‑RAM缓存被替换的缓存地址；主体STT‑RAM缓存中的某个块被替换时，根据该缓存块是否在伴随SRAM缓存中进行相应处理。