[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510274149.3 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105321891B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吴念芳;史朝文;江永平;蔡豪益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/24 | 分类号： | H01L23/24;H01L21/54 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括芯片衬底、模具和缓冲层。在芯片衬底上方设置模具。缓冲层从外部嵌入芯片衬底和模具之间。缓冲层具有的弹性模量或热膨胀系数小于模具的弹性模量或热膨胀系数。方法包括：设置至少覆盖衬底的划线的缓冲层；在衬底上方形成模具，并且模具覆盖缓冲层；以及沿着划线并穿过模具、缓冲层和衬底进行切割。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲层 衬底 模具 半导体器件 弹性模量 热膨胀系数 芯片 划线 模具覆盖 嵌入 制造 切割 穿过 外部 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：芯片衬底；模具，位于所述芯片衬底的上方；以及缓冲层，从外部嵌入所述芯片衬底与所述模具之间，其中，所述缓冲层的弹性模量小于所述模具的弹性模量，或所述缓冲层的热膨胀系数小于所述模具的热膨胀系数，其中，所述芯片衬底包括有源区域和围绕所述有源区域的保护结构区域，所述缓冲层部分地覆盖所述保护结构区域。
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